首页 在售
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
求购
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
查询 申请 展会 资讯 专利榜 企服商城 升级VIP
专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2074696个，建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进-CN201811098848.7有效
  • 张云闵;陈建安;王冠人;王鹏;陈煌明;林焕哲 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2018-09-19 - 2022-10-28 - H01L21/336
  • 方法包括在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上方形成层间电介质。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别是n型和p型。蚀刻层间电介质以形成第一接触开口和第二接触开口，其中，第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别暴露于第一接触开口和第二接触开口。使用工艺气体来同时回蚀刻第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，并且第一源极/漏极区域的第一蚀刻速率高于第二源极/漏极区域的第二蚀刻速率。在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上分别形成第一硅化物区域和第二硅化物区域。本发明的实施例还涉及NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进。
  • nfetpfet区域选择性凹进
  • [发明专利]半导体器件及方法-CN202110049095.6在审
  • 黄玉莲;王冠人;傅劲逢 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-01-14 - 2021-09-17 - H01L27/092
  • 在实施例中，一种器件，包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；层间电介质(ILD)层，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之上；第一源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第一源极/漏极接触件被连接到第一源极/漏极区域；第二源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第二源极/漏极接触件被连接到第二源极/漏极区域；以及隔离特征，在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间，该隔离特征包括电介质衬里和空隙，电介质衬里围绕空隙
  • 半导体器件方法
  • [实用新型]半导体装置-CN202221832715.X有效
  • 黄玉莲;李资良;李志鸿;张祺澔 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-07-14 - 2022-10-28 - H01L29/78
  • 一种半导体装置，包含：半导体鳍片、第一源极/漏极区域和一第二源极/漏极区域、层间介电质、栅极堆叠、第一源极/漏极接触件、以及第二源极/漏极接触件。半导体鳍片从半导体基板延伸。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域在半导体鳍片内。层间介电质在半导体基板上方。栅极堆叠介于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间，其中栅极堆叠的至少一下部在朝向半导体基板的方向在宽度上减小。第一源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第一源极/漏极区域。第二源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第二源极/漏极区域。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201310410699.4有效
  • 林立凡;廖文甲 - 台达电子工业股份有限公司
  • 2013-09-10 - 2017-03-01 - H01L29/417
  • 一种半导体装置包括有源层、至少一源极、至少一漏极、至少一栅极、第一绝缘层、第一源极垫、第一漏极垫、至少一源极插塞与至少一漏极插塞。源极与漏极皆位于有源层上，且源极与漏极在有源层上的正投影分别形成源极区域与漏极区域。第一绝缘层至少覆盖部分源极与部分漏极。第一源极垫与第一漏极垫皆位于第一绝缘层上，且第一源极垫在有源层上的正投影形成源极垫区域。源极垫区域与漏极区域至少部分重叠，且源极垫区域与漏极区域形成的重叠面积小于或等于40%的漏极区域的面积。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子系统-CN202111439122.7在审
  • 白圣权;金鹤善;徐载和 - 三星电子株式会社
  • 2021-11-29 - 2022-07-01 - H01L27/11573
  • 一种半导体器件的晶体管，包括隔离区域、设置在隔离区域中的有源区域、在有源区域上沿第二方向延伸的栅极、以及分别在栅极的第一侧和第二侧上的有源区域中沿垂直于第二方向的第一方向延伸的源极和漏极区域。源极和漏极区域包括低浓度源极和漏极掺杂区域，该低浓度源极和漏极掺杂区域包括第一和第二低浓度源极和漏极掺杂区域。源极和漏极区域还包括高浓度源极和漏极掺杂区域，该高浓度源极和漏极掺杂区域分别设置在低浓度源极和漏极掺杂区域中并且具有高于低浓度源极和漏极掺杂区域的掺杂浓度。第一低浓度源极和漏极掺杂区域在第二方向上的第一长度大于第二低浓度源极和漏极掺杂区域在第二方向上的第二长度。
  • 半导体器件包括电子系统
  • [发明专利]存储器器件及其形成方法-CN202011060573.5在审
  • 赖昇志;林仲德 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-09-30 - 2021-04-23 - H01L29/78
  • 根据MFIS存储器器件的一些实施例，下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域垂直堆叠。半导体沟道位于下部源极/漏极区域上面并且位于上部源极/漏极区域下面。半导体沟道从下部源极/漏极区域延伸至上部源极/漏极区域。控制栅电极沿着半导体沟道的侧壁并且还沿着下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域的单独的侧壁延伸。栅极介电层和铁电层将控制栅电极与半导体沟道以及下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域分隔开。本发明的实施例涉及存储器器件及其形成方法。
  • 存储器器件及其形成方法
  • [发明专利]横向功率半导体器件-CN202211566422.6在审
  • 斯特凡诺·达尔卡纳莱;亚当·布朗;吉姆·帕金 - 安世有限公司
  • 2022-12-07 - 2023-06-09 - H01L29/417
  • 本发明涉及一种横向功率半导体器件，包括：源极焊盘区域，其形成在器件的金属层中；漏极焊盘区域，其与源极焊盘间隔开并形成在器件的该金属层中；多个导电指状物，其形成在器件的另一金属层中，并且包括：多个平行的源极指状物，其联接到源极焊盘区域并从源极焊盘区域朝向漏极焊盘区域延伸至漏极焊盘区域下方，以及多个平行的漏极指状物，其与多个源极指状物隔离，并且联接到漏极焊盘区域并从漏极焊盘区域朝向源极焊盘区域延伸至源极焊盘区域下方，漏极指状物叉指式布置在源极指状物之间；漏极焊盘区域包括分别与多个漏极焊盘对应的多个漏极指状物，其中多个漏极焊盘通过与延伸到漏极焊盘区域下方的源极指状物的位置相对应的间隔而彼此隔离。
  • 横向功率半导体器件
  • [发明专利]半导体器件及方法-CN202110483374.3在审
  • 杨世海;王培宇;徐志安 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-04-30 - 2022-06-21 - H01L21/8238
  • 在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构，在衬底之上，该第一纳米结构包括沟道区域和第一轻掺杂源极/漏极(LDD)区域，第一LDD区域与沟道区域相邻；第一外延源极/漏极区域，环绕第一LDD区域的四个侧面；层间电介质(ILD)层，在第一外延源极/漏极区域之上；源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，该源极/漏极接触件环绕第一外延源极/漏极区域的四个侧面；以及栅极堆叠，与源极/漏极接触件和第一外延源极/漏极区域相邻，该栅极堆叠环绕沟道区域的四个侧面。
  • 半导体器件方法
友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期
咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top